Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
русский
▼
English
한국어
日本語
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
P/N + Описание + Поиск контента
Ключевые слова :
Номер в каталоге(s) :
H12N65 H12N65E H12N65F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
Компоненты Описание :
N-Channel
POWER
MOSFET
(650V,12A)
вид
Номер в каталоге(s) :
BLF8G22LS-
200V
BLF8G22LS-200GV
NXP Semiconductors.
Компоненты Описание :
POWER
LDMOS transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
STS4DNFS30L 4DFS30L
STMicroelectronics
Компоненты Описание :
N-channel 30 V, 0.044 Ω, 4 A SO-8 STripFET™
MOSFET
plus SCHOTTKY rectifier
(Rev - 2011)
вид
Номер в каталоге(s) :
BLF8G20LS-200V
Ampleon
Компоненты Описание :
POWER
LDMOS transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
BLF8G22LS-
200V
BLF8G22LS-200GV
Ampleon
Компоненты Описание :
POWER
LDMOS transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
BLF8G20LS-200V
NXP Semiconductors.
Компоненты Описание :
POWER
LDMOS transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B
IXYS CORPORATION
Компоненты Описание :
NCHANNEL
Enhancement Mode RF
MOSFET
вид
Номер в каталоге(s) :
H12N60 H12N60F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
Компоненты Описание :
N-Channel
POWER
MOSFET
(600V,12A)
вид
Номер в каталоге(s) :
PAL007E
Pioneer Electronics
Компоненты Описание :
Car Audio
POWER
Amplifier
вид
Номер в каталоге(s) :
GS88237BB-250V GS88237BB-
200V
GS88237BB-250IV GS88237BB-200IV GS88237BD-250V GS88237BD-
200V
GS88237BD-250IV GS88237BD-200IV GS88237BGB-250V GS88237BGB-200V
Giga Semiconductor
Компоненты Описание :
256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM
вид
Номер в каталоге(s) :
GS88118B-XXXV GS88118BD-150IV GS88118BD-150V GS88118BD-200IV GS88118BD-
200V
GS88118BD-250IV GS88118BD-250V GS88118BD-XXXV GS88118BGD-150IV GS88118BGD-150V
Giga Semiconductor
Компоненты Описание :
512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
вид
Номер в каталоге(s) :
FX853
SANYO -> Panasonic
Компоненты Описание :
MOSFET:N-Channel Silicon
MOSFET
SBD:Schottky Barrier Diode
вид
Номер в каталоге(s) :
BUZ31
Comset Semiconductors
Компоненты Описание :
POWER
MOS TRANSISTORS
вид
Номер в каталоге(s) :
GS881E18BD-150IV GS881E18BD-150V GS881E18BD-200IV GS881E18BD-
200V
GS881E18BD-250IV GS881E18BD-250V GS881E18BGD-150IV GS881E18BGD-150V GS881E18BGD-200IV GS881E18BGD-200V
Giga Semiconductor
Компоненты Описание :
512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
вид
Номер в каталоге(s) :
IRF630
Transys Electronics Limited
Компоненты Описание :
POWER
MOSFET
вид
Номер в каталоге(s) :
IRF630N IRF620N IRF630NS IRF630NL
Transys Electronics Limited
Компоненты Описание :
POWER
MOSFET
вид
Номер в каталоге(s) :
IRFR220PBF IRFU220PBF
International Rectifier
Компоненты Описание :
HEXFEP®
POWER
MOSFET
Vdss=
200V
RDS(on)=0.80Ω ID=4.8A
вид
Номер в каталоге(s) :
GS880Z18BGT-150V GS880Z18BGT-
200V
GS880Z18BGT-250V GS880Z18BT-150IV GS880Z18BT-150V GS880Z18BT-200IV GS880Z18BT-
200V
GS880Z18BT-250IV GS880Z18BT-250V GS880Z32BGT-150V
Giga Semiconductor
Компоненты Описание :
9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
вид
Номер в каталоге(s) :
IRF620
Transys Electronics Limited
Компоненты Описание :
POWER
MOSFET
вид
Номер в каталоге(s) :
IRF630N IRF630NS IRF630NL
Transys Electronics Limited
Компоненты Описание :
POWER
MOSFET
вид
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
All Rights Reserved© datasheetbank.com [
Privacy Policy
] [
Request Datasheet
] [
Contact Us
]